型号:ZXMD63C03XTA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.3A,2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 135 毫欧 @ 1.7A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 8nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 290pF @ 25V |
功率_最大 | 1.04W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-MSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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